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    上海伯东真空产品事业部搬迁通知

    KRI 考夫曼离子源

    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.
     

    伯东离子源      精密薄膜控制

    伯东离子源蚀刻均匀性

    伯东离子源精密光学

    伯东离子源MEMS,传感器和显示器

    考夫曼离子源创始人 Dr.Harold R.Kaufman 简介

    1926 年在美国出生
    1951 年加入美国 NASA 路易斯研究中心
    1971 年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖
    1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司,开始研发生产适合工业使用的霍尔离子源和考夫曼离子源

    KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列

    霍尔离子源无栅极, 高浓度, 低能量宽束型离子源
    发散光束 >45

    KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列

    离子源通过加热灯丝产生离子束,低浓度高能量宽束型离子源
    利用栅极控制离子束的浓度和方向, 离子束可选集中,平行,散设

    KRI 射频离子源 Gridded RFICP 系列

    射频离子源, 提供高能量, 低浓度的离子束, 单次工艺时间更长

    霍尔离子源 eH 400

    霍尔离子源 eH 400
    尺寸:直径= 3.7“ 高= 3”
    放电电压: 50-300eV
    电流: 5a

    霍尔离子源 eh400

    KRI 考夫曼离子源 KDC 75

    考夫曼离子源 KDC 75
    尺寸: 直径= 5.5“ 高= 7.9”
    放电电压: 100-1200 eV
    电流: 250 mA

    考夫曼离子源

    KRI 考夫曼离子束中和器

    一般使用宽束的工业用离子源,都会使用中和器来达到使用激发电子中和离子的目的。常用来做中和器的像是热灯丝,电浆桥,或是中空阴极。图1的架构可适用于有栅极及无栅极的离子源上。若是应用在无栅极的离子源上,中和器称为阴极中和器。标的物可以是溅镀的靶材或是要被蚀刻的基材。

    KRI 考夫曼离子源 KDC 10

    考夫曼型离子源 KDC 系列最小型号的离子源
    尺寸:直径= 1.52“ 高= 4.5”
    放电电压: 100-1200 ev
    电流: 10 mA

    考夫曼离子源  KDC 10

    KRI 考夫曼离子源 KDC 40

    考夫曼离子源 KDC 40
    尺寸: 直径= 3.5“ 高= 6.75”
    放电电压: 100-1200 eV
    电流: 120 mA

    考夫曼离子源 KDC40

    霍尔离子源 eH 1000

    霍尔离子源 eH 1000
    尺寸:直径= 5.7“ 高= 5.5”
    放电电压: 50-300V
    电流: 10A

    霍尔离子源

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