"

✅【135e.cn】7k彩票平台注册,亚洲最正规遊戏公司✅顶尖原生APP,7k彩票平台注册,多款游戏集于一体,非常注重玩家体验|7*24H在线服务|期待您加入我们!

  • "
    上海伯东真空产品事业部搬迁通知

    霍尔离子源 eH 400
    阅读数: 6803

    霍尔离子源 eH 400

    美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
    上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
    尺寸: 直径= 3.7“  高= 3”
    放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
    操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

    KRI 霍尔离子源 eH 400 特性
    可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少?;奔? 即插即用备用阳极
    宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
    多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统
    高效的等离子转换和稳定的功率控制

    KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:

    型号

    eH 400 / eH 400 LEHO

    供电

    DC magnetic confinement

      - 电压

    40-300 V VDC

     - 离子源直径

    ~ 4 cm

     - 阳极结构

    ??榛?/p>

    电源控制

    eHx-3005A

    配置

    -

      - 阴极中和器

    Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

      - 离子束发散角度

    > 45° (hwhm)

      - 阳极

    标准或 Grooved

      - 水冷

    前板水冷

      - 底座

    移动或快接法兰

      - 高度

    3.0'

      - 直径

    3.7'

      - 加工材料

    金属
    电介质
    半导体

      - 工艺气体

    Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

      - 安装距离

    6-30”

      - 自动控制

    控制4种气体

    * 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

    KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:
    离子辅助镀膜 IAD
    预清洁 Load lock preclean
    In-situ preclean
    Low-energy etching
    III-V Semiconductors
    • Polymer Substrates

    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

    其他产品
    7k彩票平台注册