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    上海伯东真空产品事业部搬迁通知

    霍尔效应测量磁场应用
    阅读数: 815

    霍尔效应测量磁场应用

    低温霍尔效应测量磁场应用 KANG Static Insert SN 150
    上海伯东代理英国 NanoMagnetics 仪器霍尔效应测量系统为 Van der Pauw 和 Hall Bar 测量提供了一个创新的解决方案. 可用于测量半导体材料的载流子浓度, 迁移率, 电阻率, 霍尔系数, 导电类型等重要参数, 是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性的必备工具.

    如下是某知名大学低温霍尔效应测量案例
    1. 测试样品: NMI 标准样品, P15-A
    2. 应用电流 1e- 4a
    3. VDP 测量的外加磁场为 1T
    4. 在 1.5K 时, 磁场扫描 为 0 - 5T - 0 循环

    霍尔效应测试仪器

    霍尔效应测试仪

    英国 NanoMagnetics 霍尔效应测试仪
    电阻率测量范围: 10-4 至 109 Ω-cm
    迁移率: 1 至 107 cm2 / Volt-sec
    浓度: 107 至 1021 per cm3
    电源: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
    最小霍尔电压测量: 0.1 μV

    支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形试样
    磁场: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁铁
    温度范围在 80 - 750K, 分辨率 ±0.2 K, 单一系统
    Pt - 100 电阻温度计, 750 K 加热器, PID 温控
    样品尺寸 从 5 x 5 mm 至 15 mm x 15 mm 并且厚度 < 2 mm


    英国 NanoMagnetics 霍尔效应测量系统, 电阻测量结果

    300K 时 电阻测量结果

    电阻温度图

    ContactLead
    [I+I-V+V-]

    Resistance

    [Ohm]

    低温霍尔效应测量磁场应用

    1-2-1-2

    3.62E +03

    3-4-3-4

    3.62E +03

    1-3-1-3

    3.87E +03

    2-4-2-4

    3.93E +03

    *1-2 和 3-4 电阻几乎相同. 1-3 和2-4 ( 对角线 ) 电阻几乎相同

    冷却和加热图显示了相同的结果, 因此, 塞诺克斯传感器和样品根据静态插入的位置是合适的, 否则图就不一样了. 此外,测量结果是可重复的. [I+I-V+V-] 触点引线为 [1-2-4-3]


    在 1.5K 时霍尔效应 Van der Pauw 测量结果

    接触头

    [I+I-V+V-]

    电阻率

    [Ohm.cm]

    Sh.电阻

    [Ohm/sq]

    Carr.Density

    [/cc]

    HallCoeff.

    [cc/C]

    Mobility

    [cm^2/(V.s)]

    CarrType

    [+/-]

    1-2-3-4

    3.54E - 04

    3.54E + 02

    6.00E + 17

    1.04E + 01

    2.94E + 04

    -1.00E +00

    2-3-4-1

    3.54E - 04

    3.54E + 02

    6.00E + 17

    1.04E + 01

    2.94E + 04

    -1.00E +00


    电阻磁场图
    电阻磁场图-霍尔效应测量系统
    霍尔系数 - 温度图
    霍尔系数-霍尔效应测量系统
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