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    上海伯东真空产品事业部搬迁通知

    射频离子源 RFICP 100
    阅读数: 3042

    射频离子源 RFICP 100

    KRI 射频离子源 RFICP 100
    上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.

    KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数

    型号

    RFICP 100

    供电

    RF 射频感应耦合

     - 阴极灯丝

    -

     - 射频功率

    1 KW

    电子束

    OptiBeam™

     - 栅极

    专用

     -栅极直径

    10 或 12 cm

    中和器

    LFN 2000

    电源控制

    RFICP 1510-2-10-LFNA

    配置

    -

     - 阴极中和器

    LFN2000 or MHC1000 or RFN

     - 安装

    移动或快速法兰

     - 高度

    9.25'

     - 直径

    7.52'

     - 离子束

    聚焦
    平行
    散设

     -加工材料

    金属
    电介质
    半导体

     -工艺气体

    惰性
    活性
    混合

     -安装距离

    6-18”

     - 自动控制

    控制4种气体

    * 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

    KRI 考夫曼离子源 RFICP 100 应用领域
    预清洗
    表面改性
    辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
    溅镀和蒸发镀膜 PC
    离子溅射沉积和多层结构 IBSD
    离子蚀刻 IBE

    客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下
    美国 KRI 射频离子源 RFICP 100
    美国 HVA 真空闸阀
    德国 Pfeiffer 分子泵 Hipace 2300
    射频离子源

     

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