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    上海伯东真空产品事业部搬迁通知

    射频离子源 RFICP 40
    阅读数: 2985

    射频离子源 RFICP 40

    KRI 考夫曼离子源 RFICP 40
    上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用.标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

    离子源 RFICP 40 特性:
    1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
    2. 离子源结构??榛杓? 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
    3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
    4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
    5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
    6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

    KRI 考夫曼离子源 RFICP 40 技术参数:

    型号

    RFICP 40 / RFICP 40FN

    供电

    RF 射频感应耦合

     - 阴极灯丝

    -

     - 射频功率

    0.6 KW

    电子束

    OptiBeam™

     - 栅极

    专用

     -栅极直径

    4 cm

    中和器

    LFN 2000

    电源控制

    RFICP 1510-2-06-LFNA

    配置

    -

     - 阴极中和器

    LFN1000 or MHC1000 or RFN

     - 安装

    移动或快速法兰

     - 高度

    5.0'

     - 直径

    5.3'

     - 离子束

    聚焦
    平行
    散设

     -加工材料

    金属
    电介质
    半导体

     -工艺气体

    惰性
    活性
    混合

     -安装距离

    6-18”

     - 自动控制

    控制4种气体

    * 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

    KRI 考夫曼离子源 RFICP 40 应用领域:
    预清洗
    表面改性
    辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
    溅镀和蒸发镀膜 PC
    离子溅射沉积和多层结构 IBSD
    离子蚀刻 IBE

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