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    上海伯东真空产品事业部搬迁通知

    KRI 考夫曼离子源 KDC 40
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    KRI 考夫曼离子源 KDC 40

    KRI 考夫曼离子源 KDC 40
    上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

    KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数

    型号

    KDC 40

    供电

    DC magnetic confinement

     - 阴极灯丝

    1

     - 阳极电压

    0-100V DC

    电子束

    OptiBeam™

     - 栅极

    专用, 自对准

     -栅极直径

    4 cm

    中和器

    灯丝

    电源控制

    KSC 1202

    配置

    -

     - 阴极中和器

    Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

     - 架构

    移动或快速法兰

     - 高度

    6.75'

     - 直径

    3.5'

     - 离子束

    集中
    平行
    散设

     -加工材料

    金属
    电介质
    半导体

     -工艺气体

    惰性
    活性
    混合

     -安装距离

    6-18”

     - 自动控制

    控制4种气体

    * 可选: 可调角度的支架


    KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
    溅镀和蒸发镀膜 PC
    辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
    表面改性, 激活 SM
    离子溅射沉积和多层结构 IBSD
    离子蚀刻 IBE

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