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    上海伯东真空产品事业部搬迁通知

    KRI 考夫曼霍尔离子源应用于离子刻蚀 IBE
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    KRI 考夫曼霍尔离子源应用于离子刻蚀 IBE

    离子源应用于离子刻蚀 IBE
    上海伯东代理美国考夫曼 KRI 离子源, 其产品霍尔离子源 EH400 HC 成功应用于离子蚀刻 IBE.
    霍尔离子源离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性, 霍尔源单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 因此美国考夫曼霍尔离子源广泛应用于蚀刻制程及基板前处理制程.

    霍尔离子源客户案例一: 某大学天文学系小尺寸刻蚀设备
    系统功能: 对于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多项材料刻蚀工艺.
    样品尺寸: 2英寸硅芯片.
    刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼品牌霍尔离子源 EH400 HC
    上海伯东离子源 EH400HC
    霍尔离子源 EH400HC 安装于刻蚀腔体内
    上海伯东美国考夫曼离子源
    离子源 EH400HC 自动控制单元
    上海伯东美国考夫曼离子源控制器
    霍尔离子源 EH400HC 通氩气
    离子源通氩气
    对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >20 A/Sec
    上海伯东考夫曼离子源蚀刻速率
    对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >17 Å/Sec
    上海伯东美国离子源蚀刻速率

    鉴于信息保密. 更详细的离子源应用欢迎拨打客服热线:021-5046-3511 /  021-5046-1322

    霍尔离子源 EH400HC 特性:
    高离子浓度, 低离子能量
    离子束涵盖面积广
    镀膜均匀性佳
    提高镀膜品质
    ??榛杓? 保养快速方便
    增加光学膜后折射率 (Optical index)      
    全自动控制设计, 操作简易
    低耗材成本, 安装简易
     

     

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