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    上海伯东真空产品事业部搬迁通知

    射频离子源 RFICP 140
    阅读数: 6547

    射频离子源 RFICP 140

    KRI 射频离子源 RFICP 140
    上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源,非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中,离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1000 eV 范围内获得很高的离子密度.

    KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:

    型号

    RFICP 140 / RFICP 140L

    供电

    RF 射频感应耦合

     - 阴极灯丝

    -

     - 射频功率

    1 KW

    电子束

    OptiBeam™

     - 栅极

    专用

     -栅极直径

    14 cm

    中和器

    LFN 2000

    电源控制

    RFICP 1510-2-10-LFNA

    配置

    -

     - 阴极中和器

    LFN2000 or MHC1000 or RFN

     - 安装

    移动或快速法兰

     - 高度

    9.8'

     - 直径

    9.8'

     - 离子束

    聚焦
    平行
    散设

     -加工材料

    金属
    电介质
    半导体

     -工艺气体

    惰性
    活性
    混合

     -安装距离

    8-36”

     - 自动控制

    控制4种气体

    KRI 考夫曼离子源 RFICP 140 应用领域:
    预清洗
    表面改性
    辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
    溅镀和蒸发镀膜 PC
    离子溅射沉积和多层结构 IBSD
    离子蚀刻 IBE

     

     

     

     

     

     

     

     

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