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    上海伯东真空产品事业部搬迁通知

    霍尔离子源 eH 2000
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    霍尔离子源 eH 2000

    KRI 霍尔离子源 eH 2000
    上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
    尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
    放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
    操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

    KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性
    水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
    可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少?;奔? 即插即用备用阳极
    宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
    多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
    高效的等离子转换和稳定的功率控制

    KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数

    型号

    eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO

    供电

    DC magnetic confinement

      - 电压

    40-300V VDC

      - 离子源直径

    ~ 5 cm

      - 阳极结构

    ??榛?/p>

    电源控制

    eHx-30010A

    配置

    -

      - 阴极中和器

    Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

      - 离子束发散角度

    > 45° (hwhm)

      - 阳极

    标准或 Grooved

      - 水冷

    前板水冷

      - 底座

    移动或快接法兰

      - 高度

    4.0'

      - 直径

    5.7'

      - 加工材料

    金属
    电介质
    半导体

      - 工艺气体

    Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

      - 安装距离

    16-45”

      - 自动控制

    控制4种气体

    * 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

    KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域
    •  离子辅助镀膜 IAD
    •  预清洗 Load lock preclean
    •  预清洗 In-situ preclean
    •  Direct Deposition
    •  Surface Modification
    •  Low-energy etching
    •  III-V Semiconductors
    •  Polymer Substrates

    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

     

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